ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
JANSP2N3637L
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
JANSP2N3637L-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
RH SMALL-SIGNAL BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 175 V 1 A 1 W Through Hole TO-5AA
ສິນຄ້າ:
12981969
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
JANSP2N3637L ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
ພະລັງ - Max
1 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ເກຣດ
Military
ຄຸນສົມບັດ
MIL-PRF-19500/357
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-5AA
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-JANSP2N3637L
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
JANKCCH2N3501
RH SMALL-SIGNAL BJT
2N2779
POWER BJT
JANTXV2N3439P
POWER BJT
