ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N2779
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N2779-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 30 A 200 W Stud Mount TO-63
ສິນຄ້າ:
12981974
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N2779 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
ພະລັງ - Max
200 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Stud Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-211MB, TO-63-4, Stud
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-63
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-2N2779
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
JANTXV2N3439P
POWER BJT
JAN2N4449UB
SMALL-SIGNAL BJT
2C5672-MSCL
POWER BJT
