JANTXV2N3439P
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

JANTXV2N3439P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

JANTXV2N3439P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12981975
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

JANTXV2N3439P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
ພະລັງ - Max
800 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C
ເກຣດ
Military
ຄຸນສົມບັດ
MIL-PRF-19500/368
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-39 (TO-205AD)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-JANTXV2N3439P

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

JAN2N4449UB

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2C5672-MSCL

POWER BJT

nxp-semiconductors

BC817-16W,115

NOW NEXPERIA BC817-16W - SMALL S

microchip-technology

JANSD2N4449

RH SMALL-SIGNAL BJT