ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSC031N06NS3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSC031N06NS3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
ສິນຄ້າ:
6397 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12799316
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSC031N06NS3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11000 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC031
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC031N06NS3 G-DG
BSC031N06NS3 GTR-DG
BSC031N06NS3 GCT-DG
BSC031N06NS3GATMA1DKR
BSC031N06NS3GATMA1CT
BSC031N06NS3 GDKR
BSC031N06NS3 GDKR-DG
BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3GATMA1TR
BSC031N06NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC031N06NS3G
BSC031N06NS3 GTR
BSC031N06NS3 G
SP000451482
BSC031N06NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPA90R340C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 15A TO220-FP
BSC039N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
BSO4410
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO