ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSC039N06NSATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSC039N06NSATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
ສິນຄ້າ:
19874 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12799340
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSC039N06NSATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 36µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC039
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC039N06NSTR
BSC039N06NSCT-DG
BSC039N06NSDKR
BSC039N06NSATMA1DKR
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSDKR-DG
BSC039N06NS-DG
BSC039N06NSATMA1TR
SP000985386
BSC039N06NSTR-DG
BSC039N06NS
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSO4410
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
BSO4410T
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
