ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSC084P03NS3GATMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSC084P03NS3GATMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
ສິນຄ້າ:
8968 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12799348
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSC084P03NS3GATMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
OptiMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-TDSON-8-5
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerTDFN
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSC084
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
5,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSC084P03NS3 GCT-DG
2156-BSC084P03NS3GATMA1-448
BSC084P03NS3 G-DG
BSC084P03NS3 GDKR
BSC084P03NS3GATMA1TR
BSC084P03NS3 GTR-DG
BSC084P03NS3GATMA1CT
BSC084P03NS3G
BSC084P03NS3 GDKR-DG
BSC084P03NS3 GCT
BSC084P03NS3GATMA1DKR
SP000473020
BSC084P03NS3 G
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BSO4410T
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
BSZ013NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
