ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
G2K3N10H
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Goford Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
G2K3N10H-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 2A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
ສິນຄ້າ:
12989236
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
G2K3N10H ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
ລັກສະນະ FET
Standard
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2.4W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-223
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
4822-G2K3N10HTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
3 (168 Hours)
ສະຖານະພາບ REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
G2K3N10H
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2265
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
G2K3N10H-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
MSJPF08N90A-BP
N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
S2M0040120K
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
IMT65R260M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
