S2M0040120K
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

S2M0040120K

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

SMC Diode Solutions

ເລະທີ່ສ່ວນ:

S2M0040120K-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V Through Hole TO-247-4

ສິນຄ້າ:

113 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12989246
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

S2M0040120K ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
SMC Diode Solutions
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-4

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
-1765-S2M0040120K
1655-S2M0040120K

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
infineon-technologies

IMT65R260M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

vishay-siliconix

SIHA24N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 9A TO220

goford-semiconductor

GT105N10K

MOSFET N-CH 100V 60A TO-252