ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IMT65R260M1HXUMA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IMT65R260M1HXUMA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
SILICON CARBIDE MOSFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
ສິນຄ້າ:
1975 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12989249
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IMT65R260M1HXUMA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
CoolSiC™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
-
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max)
-
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-HSOF-8-1
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-PowerSFN
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SP005716858
448-IMT65R260M1HXUMA1CT
448-IMT65R260M1HXUMA1TR
448-IMT65R260M1HXUMA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIHA24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 9A TO220
GT105N10K
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
AIMBG120R040M1XTMA1
SIC_DISCRETE
