ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SUD50P06-15L-T4-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SUD50P06-15L-T4-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 50A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
ສິນຄ້າ:
13010184
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SUD50P06-15L-T4-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4950 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3W (Ta), 136W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-252AA
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SUD50
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2361
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.84
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.74
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SUD50P06-15L-E3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
38575
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SUD50P06-15L-E3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.02
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TN2404K-T1-GE3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
SUD50N03-06AP-T4E3
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
SUD23N06-31L-T4-E3
MOSFET N-CH 60V TO252
