ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TJ60S06M3L(T6L1,NQ-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
ສິນຄ້າ:
2361 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12889524
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TJ60S06M3L(T6L1,NQ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSVI
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7760 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
100W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
DPAK+
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TJ60S06
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQTR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ60S06M3L(T6L1,NQCT
TJ60S06M3L(T6L1NQ-DG
TJ60S06M3L(T6L1NQ
TJ60S06M3LT6L1NQ
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SSM6J401TU,LF
MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
2SK2963(TE12L,F)
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
TK20E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
