ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI3433CDV-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI3433CDV-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 1.6W (Ta), 3.3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
ສິນຄ້າ:
9491 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13059529
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI3433CDV-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ແພັກເກດ
Tape & Reel (TR)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI3433
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI3433CDV-T1-GE3-ND
SI3433CDVT1GE3
SI3433CDV-T1-GE3DKR
SI3433CDV-T1-GE3CT
SI3433CDV-T1-GE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI2325DS-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
SI1417EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
SI6467BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
