ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI6467BDQ-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI6467BDQ-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 12 V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
ສິນຄ້າ:
13059578
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI6467BDQ-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ແພັກເກດ
Cut Tape (CT)
ສະຖານະພາບຂອງພາກສ່ວນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 450µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
ລັກສະນະ FET
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-TSSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI6467
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI6467BDQ-T1-E3DKR
SI6467BDQT1E3
SI6467BDQ-T1-E3CT
SI6467BDQ-T1-E3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4348DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
SIR844DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
