ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SQP120N06-3M5L_GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SQP120N06-3M5L_GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
ສິນຄ້າ:
12917147
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SQP120N06-3M5L_GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14700 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
250W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SQP120
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
SQP120N06-3M5L_GE3DKR-DG
SQP120N06-3M5L_GE3CT-DG
SQP120N06-3M5L_GE3TR-DG
SQP120N06-3M5L_GE3TR
SQP120N06-3M5L_GE3DKRINACTIVE
SQP120N06-3M5L_GE3DKR
SQP120N06-3M5L_GE3CT
SQP120N06-3M5L_GE3TRINACTIVE
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMT6004SCT
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
47
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMT6004SCT-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.75
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDP032N08
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
924
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDP032N08-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.65
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI9434BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
SIB452DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
SI3433CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
