SQ3425EV-T1_GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SQ3425EV-T1_GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SQ3425EV-T1_GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 7.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

ສິນຄ້າ:

12917171
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SQ3425EV-T1_GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
5W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ເກຣດ
Automotive
ຄຸນສົມບັດ
AEC-Q101
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-TSOP
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SQ3425

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SQ3425EV-T1_GE3CT
SQ3425EV-T1_GE3TR
SQ3425EV-T1_GE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SQ3425EV-T1_BE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2490
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SQ3425EV-T1_BE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.20
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIS478DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI8487DB-T1-E1

MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT

vishay-siliconix

SI3458BDV-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP

vishay-siliconix

SIRA88DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8