SISS72DN-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SISS72DN-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SISS72DN-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 150 V 7A (Ta), 25.5A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

ສິນຄ້າ:

12916904
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SISS72DN-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7A (Ta), 25.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 75 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8S
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8S
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SISS72

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SISS72DN-T1-GE3DKR
SISS72DN-T1-GE3CT
SISS72DN-T1-GE3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI2366DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

vishay-siliconix

SUP40010EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SIHG23N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

vishay-siliconix

SI5486DU-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET