ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIHG23N60E-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIHG23N60E-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
ສິນຄ້າ:
12916909
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIHG23N60E-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
E
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
158mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2418 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
227W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TA)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHG23
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
500
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH50N60P3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
386
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH50N60P3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.53
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPW60R190E6FKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
190
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPW60R190E6FKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.69
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI5486DU-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
SQ3481EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
SIR880DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
