ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIRA60DP-T1-RE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIRA60DP-T1-RE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ສິນຄ້າ:
12786158
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIRA60DP-T1-RE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.94mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
SQM47N10-24L_GE3
MOSFET N-CH 100V 47A TO263
SQ4470EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
