SIHP25N50E-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHP25N50E-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHP25N50E-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

908 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12786201

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SIHP25N50E-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

26A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

145mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1980 pF @ 100 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

250W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

SIHP25

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

SIHP25N50E-GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ໃບຂໍ້ມູນ

SiHP25N50E Packaging Information

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ຊື່ ອື່ນໆ

2266-SIHP25N50E-GE3

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SIHP30N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB

vishay-siliconix

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

vishay-siliconix

SQ2301ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236

vishay-siliconix

SIHP30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB