SIHB24N65ET5-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIHB24N65ET5-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIHB24N65ET5-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 24A TO263
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12786485
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIHB24N65ET5-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
E
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2740 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
250W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263 (D2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIHB24

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SiHB24N65E
ບັນທຶກ HTML
SIHB24N65ET5-GE3-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
SIHB24N65ET5-GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STB20N65M5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
845
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STB20N65M5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.46
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFA22N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
250
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFA22N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.56
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6020ENJTL
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
9101
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6020ENJTL-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SPB20N60C3ATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4719
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SPB20N60C3ATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.53
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB65R190CFDAATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
256
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB65R190CFDAATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.27
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIS454DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIRA18DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8