SIRA18DP-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIRA18DP-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIRA18DP-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

ສິນຄ້າ:

111 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12786491
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIRA18DP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIRA18

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
SIRA18DP
ບັນທຶກ HTML
SIRA18DP-T1-GE3-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
SIRA18DP-T1-GE3
ຮູບແຕ້ມຜະລິດຕະພັນ
PowerPak SO-8 Drawing

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIRA18DPT1GE3
SIRA18DP-T1-GE3TR
SIRA18DP-T1-GE3DKR
2266-SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3CT

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS3E095BNGZETB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2500
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS3E095BNGZETB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.29
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RXH070N03TB1
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2498
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RXH070N03TB1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.32
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS1E130GNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1178
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS1E130GNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RS1E150GNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2280
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RS1E150GNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.18
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SQJA02EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR496DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHP24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

vishay-siliconix

SUD50N03-12P-GE3

MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252