ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIE878DF-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIE878DF-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 25 V 45A (Tc) 5.2W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
ສິນຄ້າ:
12916892
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIE878DF-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 12.5 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
5.2W (Ta), 25W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
10-PolarPAK® (L)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
10-PolarPAK® (L)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIE878
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIE878DFT1GE3
SIE878DF-T1-GE3DKR
SIE878DF-T1-GE3TR
SIE878DF-T1-GE3CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
SQ3419AEEV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
SISS72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
