ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI7404DN-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI7404DN-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ສິນຄ້າ:
12919686
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI7404DN-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 13.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.5W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® 1212-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® 1212-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI7404
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RQ3E100MNTB1
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5261
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RQ3E100MNTB1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.40
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RQ3E080BNTB
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
40431
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RQ3E080BNTB-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.10
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI7716ADN-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
14050
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI7716ADN-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.41
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SIR802DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
SIHP38N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
SI5415EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
