ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI5415EDU-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI5415EDU-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
ສິນຄ້າ:
12919693
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI5415EDU-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4300 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-50°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® ChipFet Single
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® ChipFET™ Single
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI5415
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI5415EDU-T1-GE3CT
SI5415EDU-T1-GE3TR
SI5415EDU-T1-GE3DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI5419DU-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
13890
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI5419DU-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI5476DU-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 12A PPAK
SQR70090ELR_GE3
MOSFET N-CH 100V 86A DPAK
SUD50N06-07L-GE3
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
