ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI5515CDC-T1-E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI5515CDC-T1-E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
ສິນຄ້າ:
6000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12913794
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI5515CDC-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
N and P-Channel
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
632pF @ 10V
ພະລັງ - Max
3.1W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
1206-8 ChipFET™
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI5515
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI5515CDC-T1-E3DKR
SI5515CDC-T1-E3CT
SI5515CDC-T1-E3-DG
SI5515CDC-T1-E3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4542DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
SI4226DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI1539DL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6