SI4226DY-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI4226DY-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI4226DY-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 25V 8A 3.2W Surface Mount 8-SOIC

ສິນຄ້າ:

12913810
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI4226DY-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
25V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1255pF @ 15V
ພະລັງ - Max
3.2W
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4226

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN3018SSD-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
30936
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN3018SSD-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.14
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI1539DL-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6

vishay-siliconix

SI4501ADY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4563DY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SI7236DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO8