SI5463EDC-T1-E3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI5463EDC-T1-E3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI5463EDC-T1-E3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 20 V 3.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™

ສິນຄ້າ:

12918306
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI5463EDC-T1-E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.25W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
1206-8 ChipFET™
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SMD, Flat Lead
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI5463

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SI5463EDC-T1-E3TR
SI5463EDC-T1-E3CT
SI5463EDCT1E3
SI5463EDC-T1-E3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI5457DC-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
28298
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI5457DC-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.15
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SIHFR9310TR-GE3

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

SI4812BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

vishay-siliconix

SIRA54DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI8457DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT