SIRA54DP-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SIRA54DP-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SIRA54DP-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 36.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

ສິນຄ້າ:

6000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12918322
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SIRA54DP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen IV
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5300 pF @ 20 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
36.7W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SIRA54

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SIRA54DP-T1-GE3TR-DG
SIRA54DP-T1-GE3DKR-DG
742-SIRA54DP-T1-GE3DKR
SIRA54DP-T1-GE3CT-DG
SIRA54DP-T1-GE3CT
742-SIRA54DP-T1-GE3CT
SIRA54DP-T1-GE3TR
742-SIRA54DP-T1-GE3TR
SIRA54DP-T1-GE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI8457DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT

vishay-siliconix

SQD50P04-09L_GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

vishay-siliconix

SI4840DY-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

vishay-siliconix

SI4446DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO