SI4470EY-T1-GE3
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI4470EY-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI4470EY-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 1.85W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

ສິນຄ້າ:

12915149
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SI4470EY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.85W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOIC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI4470

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
SI4470EYT1GE3
SI4470EY-T1-GE3TR
SI4470EY-T1-GE3CT
SI4470EY-T1-GE3DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI4850EY-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4971
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI4850EY-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.67
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

SI7452DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4626ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 30A 8SO

vishay-siliconix

IRFZ48S

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

vishay-siliconix

SI4459BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO