ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI7452DP-T1-GE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI7452DP-T1-GE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 11.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ສິນຄ້າ:
12915150
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI7452DP-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchFET®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 19.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.9W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI7452
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
CSD18534Q5A
ຜູ້ຜະລິດ
Texas Instruments
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
16709
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
CSD18534Q5A-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.36
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RJK0658DPA-00#J5A
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
6000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RJK0658DPA-00#J5A-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.87
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI7478DP-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4624
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI7478DP-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.12
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI4626ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
IRFZ48S
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
SI4459BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO
