SI4151DY-T1-GE3

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SI4151DY-T1-GE3

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Vishay Siliconix

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SI4151DY-T1-GE3-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 30 V 15.2A (Ta), 20.5A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

ສິນຄ້າ:

4459 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12976042

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

SI4151DY-T1-GE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay

ບັນທຶກ

Tape & Reel (TR)

ຊຸດ

TrenchFET® Gen IV

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

15.2A (Ta), 20.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

87 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3250 pF @ 15 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

3.1W (Ta), 5.6W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

8-SOIC

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

SI4151DY-T1-GE3-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

SI4151DY-T1-GE3

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

2,500

ຊື່ ອື່ນໆ

742-SI4151DY-T1-GE3DKR

742-SI4151DY-T1-GE3CT

742-SI4151DY-T1-GE3TR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SIR1309DP-T1-GE3

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SIDR500EP-T1-RE3

N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SQA411CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)

vishay-siliconix

SQJQ130EL-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)