ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SIDR500EP-T1-RE3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SIDR500EP-T1-RE3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 94A (Ta), 421A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
ສິນຄ້າ:
6000 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12976044
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SIDR500EP-T1-RE3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
TrenchFET® Gen V
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
94A (Ta), 421A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.47mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+16V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8960 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PowerPAK® SO-8DC
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
PowerPAK® SO-8
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
742-SIDR500EP-T1-RE3DKR
742-SIDR500EP-T1-RE3CT
742-SIDR500EP-T1-RE3TR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SQA411CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60 V (D-S)
SQJQ130EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
SQJQ184ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
