ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IRLL110PBF
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Vishay Siliconix
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IRLL110PBF-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
ສິນຄ້າ:
12914597
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IRLL110PBF ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 900mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
2W (Ta), 3.1W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-223
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IRLL110
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
80
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRLL110TRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
15402
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRLL110TRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.28
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZXMN10A11GTA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1708
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZXMN10A11GTA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.22
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
ZVN4310GTA
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4126
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
ZVN4310GTA-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.55
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFU224PBF
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
IXFX90N60X
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3