ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFX90N60X
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFX90N60X-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
ສິນຄ້າ:
12914600
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFX90N60X ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™, Ultra X
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1100W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PLUS247™-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3 Variant
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFX90
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFX100N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFX100N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
11.71
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
TK62N60X,S1F
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
102
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
TK62N60X,S1F-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.71
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SCT3030ALGC11
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
10017
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SCT3030ALGC11-DG
ລາຄາຕໍານອນ
21.41
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
SI4776DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 11.9A 8SO