TTC009,F(J
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

TTC009,F(J

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Toshiba Semiconductor and Storage

ເລະທີ່ສ່ວນ:

TTC009,F(J-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS NPN 80V 3A TO220NIS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 2 W Through Hole TO-220NIS

ສິນຄ້າ:

12890268
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

TTC009,F(J ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
ພະລັງ - Max
2 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
150MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3 Full Pack
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220NIS
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TTC009

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
TTC009F(J
TTC009FJ

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SC6076(TE16L1,NV)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

BCV46TA

TRANS PNP DARL 60V 0.5A SOT23-3

diodes

DCX55-16-13

TRANS NPN 60V 1A SOT89-3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1837(F,M)

TRANS PNP 230V 1A TO220NIS

diodes

FMMT458QTA

TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3