ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SC6076(TE16L1,NV)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 10 W Surface Mount PW-MOLD
ສິນຄ້າ:
12889979
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
fGuk
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SC6076(TE16L1,NV) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 2V
ພະລັງ - Max
10 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
150MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PW-MOLD
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SC6076
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
2SC6076(TE16L1NV)-DG
2SC6076(TE16L1NV)TR
2SC6076TE16L1NV
2SC6076(TE16L1NV)
2SC6076 (TE16L1,NV)
2SC6076(TE16L1NV)INACTIVE
2SC6076(TE16L1NV)DKR
2SC6076(TE16L1NV)CT
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
MJD243T4G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2406
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
MJD243T4G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.22
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SD1816T-TL-H
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
723
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SD1816T-TL-H-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.42
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2SC2235-Y,F(J
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
PZT2907A-TP
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223
2SB1457,T6TOTOF(J
TRANS PNP 100V 2A TO92MOD
