ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SSM6J214FE(TE85L,F
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
ສິນຄ້າ:
19745 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12891207
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SSM6J214FE(TE85L,F ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
U-MOSVI
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ES6
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-563, SOT-666
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SSM6J214
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
4,000
ຊື່ ອື່ນໆ
SSM6J214FE(TE85LFDKR
SSM6J214FE(TE85LFTR
SSM3K17FULF
SSM6J214FE(TE85LFCT
SSM3K17FULF(B
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS
TPC8A05-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP