ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TPC8A05-H(TE12L,QM
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TPC8A05-H(TE12L,QM-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
ສິນຄ້າ:
12891212
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TPC8A05-H(TE12L,QM ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
U-MOSV-H
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Body)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SOP (5.5x6.0)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TPC8A05
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SI2304BDS-T1-GE3
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
65573
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SI2304BDS-T1-GE3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.09
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN3016LSS-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
14193
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN3016LSS-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.14
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TPC8048-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
2SK2967(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
TK160F10N1L,LQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
