ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2SD1221-Y(Q)
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Toshiba Semiconductor and Storage
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2SD1221-Y(Q)-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN 60V 3A PW-MOLD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 1 W Surface Mount PW-MOLD
ສິນຄ້າ:
12949766
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2SD1221-Y(Q) ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 300mA, 3A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
ພະລັງ - Max
1 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
3MHz
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PW-MOLD
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2SD1221
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
200
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SD1802T-TL-E
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1187
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SD1802T-TL-E-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.38
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SC6097-TL-E
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5749
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SC6097-TL-E-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.25
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SC6076(TE16L1,NV)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
TMBT3906,LM
TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
2SD2695(T6CNO,A,F)
TRANS NPN 60V 2A TO92MOD
BC846B-7-F
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3