SCT3022ALGC11
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SCT3022ALGC11

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SCT3022ALGC11-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SICFET N-CH 650V 93A TO247N
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 93A (Tc) 339W (Tc) Through Hole TO-247N

ສິນຄ້າ:

1695 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13527008
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SCT3022ALGC11 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
93A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 18.2mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2208 pF @ 500 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
339W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247N
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCT3022

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ
MOS-3GTHD Reliability Test
ແຫລ່ງ ຊ່ວຍ ເຫລືອ ການ ອອກ ແບບ
TO-247N Inner Structure
ໃບຂໍ້ມູນ
SCT3022ALGC11 TO-247N Taping Spec

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
rohm-semi

RSD201N10TL

MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

rohm-semi

RV2C014BCT2CL

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3

rohm-semi

RT1A045APTCR

MOSFET P-CH 12V 4.5A 8TSST

rohm-semi

SCT3160KLGC11

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N