SCT3160KLGC11
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SCT3160KLGC11

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SCT3160KLGC11-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N

ສິນຄ້າ:

2223 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13527019
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SCT3160KLGC11 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
398 pF @ 800 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
103W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247N
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCT3160

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ
MOS-3GTHD Reliability Test
ແຫລ່ງ ຊ່ວຍ ເຫລືອ ການ ອອກ ແບບ
TO-247N Inner Structure
ໃບຂໍ້ມູນ
SCT3160KLGC11 TO-247N Taping Spec

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
rohm-semi

RT1E050RPTR

MOSFET P-CH 30V 5A 8TSST

rohm-semi

RQ6E040XNTCR

MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6

rohm-semi

RQ5P010SNTL

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3

rohm-semi

RSQ025P03TR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6