ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
ES6U1T2R
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Rohm Semiconductor
ເລະທີ່ສ່ວນ:
ES6U1T2R-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
ສິນຄ້າ:
8330 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13523142
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
ES6U1T2R ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
12 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 6 V
ລັກສະນະ FET
Schottky Diode (Isolated)
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-WEMT
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-SMD, Flat Leads
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
8,000
ຊື່ ອື່ນໆ
ES6U1T2RCT
ES6U1T2RDKR
ES6U1T2RTR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
SSM6G18NU,LF
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Semiconductor and Storage
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
3925
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
SSM6G18NU,LF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.07
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
ES6U42T2R
MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT
2SK2299N
MOSFET N-CH 450V 7A TO220FN
SCT3080ALGC11
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
