SCT3080ALGC11
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

SCT3080ALGC11

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Rohm Semiconductor

ເລະທີ່ສ່ວນ:

SCT3080ALGC11-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SICFET N-CH 650V 30A TO247N
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247N

ສິນຄ້າ:

1587 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13524212
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

SCT3080ALGC11 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
ROHM Semiconductor
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
571 pF @ 500 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
134W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247N
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SCT3080

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ເອກະສານຄວາມໄວ້ວາງໃຈ
MOS-3GTHD Reliability Test
ແຫລ່ງ ຊ່ວຍ ເຫລືອ ການ ອອກ ແບບ
TO-247N Inner Structure
ໃບຂໍ້ມູນ
SCT3080ALGC11 TO-247N Taping Spec

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
rohm-semi

R6009JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

rohm-semi

RF4E060AJTCR

MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8

rohm-semi

QS5U28TR

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5

rohm-semi

RCD080N25TL

MOSFET N-CH 250V 8A CPT3