PJW4P06A_R2_00001
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PJW4P06A_R2_00001

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Panjit International Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PJW4P06A_R2_00001-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 60 V 4A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

ສິນຄ້າ:

1255 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12987000
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

PJW4P06A_R2_00001 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
PANJIT
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
PJW
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
785 pF @ 30 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
3.1W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-223
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PJW4P06

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
3757-PJW4P06A_R2_00001TR
3757-PJW4P06A_R2_00001CT
3757-PJW4P06A_R2_00001DKR

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PJW4P06A-AU_R2_000A1
ຜູ້ຜະລິດ
Panjit International Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12880
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PJW4P06A-AU_R2_000A1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.10
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PJW4P06A_R2_00001
ຜູ້ຜະລິດ
Panjit International Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1255
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PJW4P06A_R2_00001-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

DMN3061LCA3-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN1006

renesas-electronics-america

UPA2730TP-E2-AZ

UPA2730 - POWER FIELD-EFFECT TRA

onsemi

FDD9509L

FDD9509L

infineon-technologies

IAUA250N04S6N008AUMA1

OPTIMOS POWER MOSFET