FDB050AN06A0
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

FDB050AN06A0

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

onsemi

ເລະທີ່ສ່ວນ:

FDB050AN06A0-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 80A (Tc) 245W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ສິນຄ້າ:

79 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12836852
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

FDB050AN06A0 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
PowerTrench®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
245W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263 (D2PAK)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
FDB050

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
FDB050AN06A0, FDP050AN06A0
ບັນທຶກ HTML
FDB050AN06A0-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
FDB050AN06A0

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
800
ຊື່ ອື່ນໆ
2832-FDB050AN06A0
FDB050AN06A0CT
FDB050AN06A0DKR
FDB050AN06A0TR
FDB050AN06A0-DG

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFA230N075T2-7
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
45
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFA230N075T2-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.29
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFS3306TRLPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
86
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFS3306TRLPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.10
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB054N06N3GATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1043
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB054N06N3GATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.72
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PHB21N06LT,118
ຜູ້ຜະລິດ
NXP USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
978
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PHB21N06LT,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.38
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PSMN4R6-60BS,118
ຜູ້ຜະລິດ
Nexperia USA Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
10374
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PSMN4R6-60BS,118-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.87
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
onsemi

FQB19N10LTM

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

onsemi

HUFA76633S3S

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

onsemi

2V7002LT3G

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

infineon-technologies

BSP295H6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4