ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
BSP295H6327XTSA1
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Infineon Technologies
ເລະທີ່ສ່ວນ:
BSP295H6327XTSA1-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
ສິນຄ້າ:
943 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12836864
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
St3d
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
BSP295H6327XTSA1 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
SIPMOS®
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
368 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1.8W (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PG-SOT223-4
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-261-4, TO-261AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
BSP295
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1,000
ຊື່ ອື່ນໆ
BSP295H6327XTSA1TR
SP001058618
BSP295H6327XTSA1CT
BSP295H6327XTSA1DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
PJW3N10A_R2_00001
ຜູ້ຜະລິດ
Panjit International Inc.
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
14009
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
PJW3N10A_R2_00001-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN6068SE-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
18062
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN6068SE-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.16
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
FDB5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
FDB0690N1507L
MOSFET N-CH 150V 3.8A TO263-7
3LP01M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
