ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
SI9936DY,518
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NXP USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
SI9936DY,518-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SO
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO
ສິນຄ້າ:
12811465
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
SI9936DY,518 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
TrenchMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
ພະລັງ - Max
900mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
8-SO
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
SI9936
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,500
ຊື່ ອື່ນໆ
934056385518
SI9936DY /T3-DG
SI9936DY /T3
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
2 (1 Year)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
NTMD4N03R2G
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
31663
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
NTMD4N03R2G-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.23
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF7303TRPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF7303TRPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.29
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PMDPB42UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
PMGD130UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
PMDPB95XNE,115
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON