ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
PMDPB42UN,115
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
NXP USA Inc.
ເລະທີ່ສ່ວນ:
PMDPB42UN,115-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6HUSON
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Mosfet Array 20V 3.9A 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
ສິນຄ້າ:
12811484
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
PMDPB42UN,115 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET ລະບົບ
ຜູ້ຜະລິດ
NXP Semiconductors
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
ການຕັ້ງຄ່າ
2 N-Channel (Dual)
ລັກສະນະ FET
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
185pF @ 10V
ພະລັງ - Max
510mW
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
6-UDFN Exposed Pad
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
6-HUSON (2x2)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
PMDPB
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
NEXNXPPMDPB42UN,115
PMDPB42UN,115-DG
568-10758-6
568-10758-1
568-10758-2
2156-PMDPB42UN115-NXTR-DG
2156-PMDPB42UN115
2156-PMDPB42UN,115-DG
934066485115
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN2050LFDB-13
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
24109
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN2050LFDB-13-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
DMN2050LFDB-7
ຜູ້ຜະລິດ
Diodes Incorporated
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2585
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
DMN2050LFDB-7-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.11
ປ່ແທນປະເພດ
MFR Recommended
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
PMGD130UN,115
MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP
PMDPB95XNE,115
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
PMGD175XN,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP