PSMN1R9-40PL,127

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PSMN1R9-40PL,127

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Nexperia USA Inc.

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PSMN1R9-40PL,127-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 40 V 150A (Ta) 349W (Ta) Through Hole TO-220AB

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12947725

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

PSMN1R9-40PL,127 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Nexperia

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

150A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

230 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13200 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

349W (Ta)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220AB

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

PSMN1R9

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

PSMN1R9-40PL,127-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

PSMN1R9-40PL,127

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

173

ຊື່ ອື່ນໆ

NEXNEXPSMN1R9-40PL,127

2156-PSMN1R9-40PL,127-NEX

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

HTSUS

0000.00.0000

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

nxp-semiconductors

PMCM6501VPEZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

CMS07P10V8-HF

MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK

comchip-technology

A2N7002HL-HF

MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3

stmicroelectronics

STB11NM60T4

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK