PMCM6501VPEZ

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

PMCM6501VPEZ

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

NXP Semiconductors

ເລະທີ່ສ່ວນ:

PMCM6501VPEZ-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

P-Channel 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)

ສິນຄ້າ:

7773886 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12947728

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

PMCM6501VPEZ ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

NXP Semiconductors

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

P-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29.4 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1400 pF @ 6 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

556mW (Ta), 12.5W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

6-WLCSP (1.48x0.98)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

6-XFBGA, WLCSP

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

PMCM6501VPEZ Datasheet

ບັນທຶກ HTML

PMCM6501VPEZ-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,528

ຊື່ ອື່ນໆ

NEXNEXPMCM6501VPEZ

2156-PMCM6501VPEZ-NEX

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

CMS07P10V8-HF

MOSFET P-CH 100V 2.2A/7A PRPAK

comchip-technology

A2N7002HL-HF

MOSFET N-CH 60V 300MA DFN1006-3

stmicroelectronics

STB11NM60T4

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK

nxp-semiconductors

PH1225AL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56